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J-GLOBAL ID：201602208935079060   整理番号：16A0019177

歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション

Simulation of Dirac Electron Engineering Device Using Strained Graphene

著者 (6件)： 相馬聡文 (神戸大 大学院工学研究科) ,  田中未来 (神戸大 大学院工学研究科) ,  市原圭祐 (神戸大 大学院工学研究科) ,  迫田翔太郎 (神戸大 大学院工学研究科) ,  笹岡健二 (神戸大 大学院工学研究科) ,  小川真人 (神戸大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 292(SDM2015 84-91)  ページ： 29-34  発行年： 2015年10月29日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコンMOSFETの微細化に伴う発熱等の問題を克服するために,新材料,新構造,新制御機構が様々に提案されている。本論文では,歪み印加グラフェンを利用した低消費電力型素子の可能性に注目したシミュレーション研究について述べる。グラフェンのフェルミエネルギー付近の電子はバンドギャップを持たない質量ゼロのディラック電子としての振る舞うが,局所的な歪みを印加する事で,このディラック電子の円錐状バンドが波数空間で変位する。その効果(擬似磁場効果)を利用する事で,バンドギャップが存在しないにも係らず,バンド間トンネルFETに類似した急峻なスイッチング(60mV/decadeを下回るS値)が可能になる。このようなディラック電子エンジニアリングを用いたグラフェン素子のシミュレーション手法及び結果について,原子論的シミュレーション,有効方程式モデル両方の観点から述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子 ,  *計算機シミュレーション ,  ケイ素 ,  MOSFET ,  消費電力 ,  Fermi準位 ,  磁場効果 ,  バンドギャップ ,  FET【トランジスタ】 ,  *Dirac電子 ,  *計算機利用 ,  *利用
準シソーラス用語： *デバイスシミュレーション ,  トンネルFET ,  低消費電力

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪み ,  グラフェン ,  ディラック電子 ,  エンジニアリング ,  シミュレーション