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J-GLOBAL ID：201602208957186472   整理番号：16A0380064

高度なSPCによって製造した記録的に高い電子移動度を持つ高性能ポリSiナノワイヤトランジスタのキャリア輸送解析

Carrier Transport Analysis of High-Performance Poly-Si Nanowire Transistor Fabricated by Advanced SPC with Record-High Electron Mobility

著者 (4件)： ODA Minoru (Toshiba Corp., Yokkaichi, JPN) ,  SAKUMA Kiwamu (Toshiba Corp., Yokkaichi, JPN) ,  KAMIMUTA Yuuichi (Toshiba Corp., Yokkaichi, JPN) ,  SAITOH Masumi (Toshiba Corp., Yokkaichi, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2015  ページ： 125-128  発行年： 2015年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,高移動度ポリSiナノワイヤトランジスタ(NW Tr)の基本的キャリア輸送を調べる。高移動度ポリSi Trにおけるキャリア散乱機構を系統的に解析した。高度な固相結晶化(SPC)による粒子内部の欠陥減少が移動度増加の主原因であることが分った。NWのスケーリングと共に,粒子内部の欠陥をさらに減少し,ポリSi/酸化物界面ラフネスを抑制することによって高性能かつ低電力ポリSi Trが可能になる。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *ナノワイヤ ,  ポリシリコン ,  *輸送現象 ,  キャリア ,  半導体プロセス ,  電流電圧特性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  温度依存性 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： ナノワイヤトランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SPC ,  電子移動度 ,  高性能 ,  ポリSi ,  ナノワイヤトランジスタ ,  キャリア輸送 ,  解析