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J-GLOBAL ID：201602209390308683   整理番号：16A0211677

巨大熱電能を持つSi-Ge-Au薄膜の膜内ナノ結晶の生成条件

The Generation Condition of Nano Crystals in the Si-Ge-Au Film with Extraordinary Large Thermoelectric Power

著者 (5件)： 岡本庸一 (防衛大) ,  田結荘健 (防衛大) ,  芳賀陽介 (防衛大) ,  宮崎尚 (防衛大) ,  守本純 (防衛大)
資料名： 日本赤外線学会誌  (Journal of the Japan Society of Infrared Science and Technology)
巻： 25  号： 2  ページ： 79-86  発行年： 2016年02月04日 
JST資料番号： L1291A  ISSN： 0916-7900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si-Ge-Au人工格子薄膜は,10^-2VK^-1を越える熱電能を示し,非冷却熱電対型赤外線センサーに有望な材料である。10^-2VK^-1を越える高い熱電能は,起源が不明で,再現性も低い。最近,熱処理過程で,SiGeナノ結晶が生成し,その量子効果が高い熱電能の起源であると報告されている。本論文は,ナノ結晶が生成する過程を論ずる。成膜直後はアモルファス相で,623Kの熱処理で,数分で最初にGeナノ結晶が生成し始め,それにSiが吸収され,SiGeナノ結晶に変化し,1時間で再結晶化がほぼ完了することが判明した。次にGe-Au人工格子薄膜を作製し,初期のGeナノ結晶の生成過程を検討した。成膜直後で約70%がナノ結晶化しており,人工周期が短いほど再結晶化が早いことが判明した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *半導体材料 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  半導体薄膜 ,  *金 ,  *熱起電力 ,  人工超格子 ,  熱電対 ,  赤外検出器 ,  熱処理 ,  量子効果 ,  非晶質 ,  再結晶 ,  光学材料 ,  人工材料
準シソーラス用語： *SiGe ,  人工周期構造 ,  *熱電能

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (31件)：

• 菅義夫 他:熱電半導体 菅義夫編(槙書店,1966)p.422.
• 上村欽一,西田勲夫:熱電半導体とその応用(日刊工業新聞社,1988)p.130.
• (社)応用物理学会:応用物理学のアカデミック・ロードマップ改訂版((社)応用物理学会,2010)p.205.
• 永瀬和宏:防衛技術ジャーナル33(2013)4.
• 加藤久和:日本赤外線学会誌10(2000)12.

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱電能 ,  Si ,  Ge ,  Au ,  薄膜 ,  ナノ結晶