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J-GLOBAL ID：201602209578365293   整理番号：16A0273121

CsとO₂との交互供給によるAs末端GaAs(001)(2×4)表面上のCs吸着構造に関するSTM研究

STM Study on Adsorption Structures of Cs on the As-Terminated GaAs(001) (2×4) Surface by Alternating Supply of Cs and O₂

著者 (8件)： HIRAO Masayuki (Tokyo Univ. of Sci.) ,  YAMANAKA Daichi (Tokyo Univ. of Sci.) ,  YAZAKI Takanori (Tokyo Univ. of Sci.) ,  OSAKO Jun (Tokyo Univ. of Sci.) ,  IIJIMA Hokuto (Tokyo Univ. of Sci.) ,  SHIOKAWA Takao (RIKEN) ,  AKIMOTO Hikota (RIKEN) ,  MEGURO Takashi (Tokyo Univ. of Sci.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E99.C  号： 3  ページ： 376-380 (J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体表面上にアルカリ金属(例えばCs,Rb,K)と酸素とを交互に供給することで負の電子親和性(NEA)表面を形成できる。走査トンネル顕微鏡法(STM)を用いてAs末端(2×4)(001)GaAs表面上のCs吸着構造を調べた。Cs原子の初期吸着はCsクラスタ形態におけるステップサイトの周辺で生じ,クラスタサイズはO₂に暴露することで小さくなることが分かった。これは,As末端(2×4)表面はGa末端表面と比較して相対的に安定であり,Csクラスタ吸着により破壊されないことを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 仕事関数 ,  ヒ化ガリウム ,  *電子親和力 ,  *光電子 ,  *光電陰極 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  ルビジウム ,  セシウム ,  カリウム ,  アルカリ金属 ,  クラスタ ,  *表面 ,  半導体 ,  *電子放出材料 ,  *活性化 ,  *吸着 ,  *表面構造 ,  酸素 ,  ヒ素
準シソーラス用語： 負電子親和力 ,  半導体表面 ,  吸着構造

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cs ,  O2 ,  GaAs ,  吸着構造 ,  STM ,  研究