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J-GLOBAL ID：201602210597085119   整理番号：16A0168284

GaInAsN/GaAs量子井戸を含むInGaP/GaAs/Ge三重接合太陽電池の設計【Powered by NICT】

Design of InGaP/GaAs/Ge Triple-junction Solar Cells Containing GaInAsN/GaAs Quantum Wells

著者 (5件)： Zhu Yongan (School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Tang Jiyu (School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Pan Baorui (School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Chen Junfang (School of Physics and Telecommunication Engineering,South China Normal Univ., Guangzhou) ,  Lu Xubing (Advanced Materials Office, South China Normal Univ., Guangzhou)
資料名： Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao  (Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao)
巻： 33  号： 5  ページ： 680-684  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2657A  ISSN： 1673-2812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 透過行列法は,GaInAsN/GaAs量子井戸の電子透過を解析した。量子井戸の電流-電圧特性は,Crosslightを用いて詳細にシミュレーション結果に基づいて考察した。GaInAsN/GaAs量子井戸太陽電池の性能に及ぼす井戸幅及び障壁厚の影響を主に紹介した。井戸幅が7nmである時,光起電力性能は優れていと障壁の厚さは32nmであることが分かった。GaAsサブセルのi領域としてGaInAsN/GaAs量子井戸とInGaP/InGaAs/Ge三重接合太陽電池は量子井戸構造を含まないInGaP/GaAs/Ge三重接合太陽電池のそれよりも~2,20%高い19.81mA/cmの2の短絡電流密度を有する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *井戸 ,  *太陽電池 ,  電流電圧特性 ,  *ゲルマニウム ,  光起電力 ,  シミュレーション ,  *三重県 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  透過 ,  *ヒ化ガリウム ,  マトリックス法 ,  *量子井戸
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  量子井戸 ,  InGaP ,  Ge ,  太陽電池 ,  設計