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J-GLOBAL ID：201602210954467558   整理番号：16A1286113

DLTSとDLOSにより特性化されたCZTSSe太陽電池における少数キャリア電子トラップ【Powered by NICT】

Minority carrier electron traps in CZTSSe solar cells characterized by DLTS and DLOS

著者 (10件)： Kheraj V. (Department of Applied Physics, SVNIT, Surat 395 007, Gujarat, India) ,  Lund E. A. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Caruso A. E. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Al-Ajmi K. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Pruzan D. (Materials Science and Engineering Department, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA) ,  Miskin C. (Chemical Engineering, Purdue University, West Layfeyette, IN, USA) ,  Agrawal R. (Chemical Engineering, Purdue University, West Layfeyette, IN, USA) ,  Beall C. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Repins I. (National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO, USA) ,  Scarpulla M. A. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Utah, Salt Lake City, UT, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PVSC  ページ： 2195-2199  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来と少数深準位過渡分光法(DLTS)と深準位光学分光法(DLOS)を用いた6~8%効率のCu2ZnSn(S, Se)4(CZTSSe)デバイス中の深い準位と少数キャリア相互作用の観測を報告した。少数キャリアとの欠陥相互作用の直接的観測である深い準位の再結合の影響を理解するために重要である。Cu2ZnSn(S, Se)4ナノ粒子インク吸収体層を持つ素子では,少数電子を捕捉し,発光中間ギャップ状態を同定した。は伝導帯の移動度端から590±50meVであり,10~15cm~3近傍の濃度を持ち,見かけの電子捕獲断面積~10~ 14cm~2を有していた。ほぼ理想的に再結合中心として位置づけられるエネルギーが,これらの欠陥は,より小さな正孔断面積のために電子トラップとして作用すると結論した。共蒸着を用いて作製したCZTSeデバイスでは,伝統的な試料の少数キャリアDLTSと同様に透明Ohm背面接触を持つものを使用した。これらの実験は,欠陥エネルギー準位観察と少数キャリア寿命の間の直接リンクを確立するために太陽電池における少数キャリア/欠陥相互作用を明確にする方法を実証した。さらに,DLTS結果の解釈を助ける例えばその直接測定非存在下でも相補的キャリア断面積の限界を定常状態デバイスシミュレーションの利用を実証した。の,例えば,すべての深い準位は強い再結合中心として作用することを仮定とは対照的に,この実験と理論を組み合わせたアプローチはDLTSで観測された欠陥のキャリア寿命とVocへの影響に関する厳密な限界を確立した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  発光 ,  深い準位 ,  *キャリア ,  ナノ粒子 ,  *キャラクタリゼーション ,  再結合中心 ,  *太陽電池 ,  伝導バンド ,  正孔 ,  吸収体 ,  *少数キャリア ,  再結合 ,  *深準位過渡分光法
準シソーラス用語： 捕獲断面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： DLTS ,  特性化 ,  太陽電池 ,  少数キャリア ,  電子トラップ