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J-GLOBAL ID:201602211048015245   整理番号:16A0187245

Geシード層上に堆積させた金膜に及ぼすアニーリングの影響

The influence of annealing on Au films deposited on Ge seed layers
著者 (4件):
資料名:
巻: 9547  ページ: 95472M.1-95472M.6  発行年: 2015年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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誘電体基板上の金属薄膜成長の開始は金属の島状構造の形成により特徴付けられる。金属の量が増すと,島状構造が浸透し,合体して最後にコンパクト層が形成される。金属島状構造膜の光学的性質は島状構造の大きさと形状に依存する。本研究では,Geシード層(厚み1nm)を持つ又は持たないSiO2基板上に形成した金属島状構造とコンパクト金膜に及ぼすアニーリングの影響を調べた。基板上に電子ビーム蒸着により作製した厚みの異なる金薄膜を有する試料を種々の温度(70~300°C)で3時間アニールした。中等度の温度でも,Geシード層は金属島状構造のパーコレーションを促進した。
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分類 (1件):
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金属薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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