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J-GLOBAL ID:201602211551685460   整理番号:16A0106115

二酸化炭素を用いた超臨界溶液(RESS)の急激な膨張によるケイ素上のアントラセン薄膜の結晶成長に及ぼす溶液濃度の影響

Effects of Solution Concentrations on Crystal Growth of Anthracene Thin Films on Silicon by Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Using Carbon Dioxide
著者 (3件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 795-803 (J-STAGE)  発行年: 2015年 
JST資料番号: S0629A  ISSN: 0021-9592  CODEN: JCEJAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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アントラセン薄膜の結晶成長機構を調べるために,二酸化炭素を用いて超臨界溶液(RESS)を急速に膨張させて,ケイ素基板上のアントラセン薄膜中のアントラセン粒子の結晶形態,結晶性,成長速度,数密度に及ぼす超臨界溶液濃度の影響を調べた。溶液濃度は,平衡温度318.2K及び平衡圧力15.0MPaで2.10から7.15×10-5(モル分率)の範囲で及び平衡温度328.2K及び平衡圧力15.0MPaで1.72から6.34×10-5(モル分率)の範囲で変えた。粒子の形態は,より高い溶液濃度では島状であり,より低い溶液濃度では樹状突起またはフラクタルであった。樹枝状粒子の成長速度は島状粒子の成長速度よりも速く,成長速度の傾向は,粒子の形態の変化を伴う3.40×10-5(モル分率;閾値濃度)濃度で変化した。樹状突起が島状になる。島状および樹枝状粒子の数密度は溶液濃度とともにほぼ直線的に増加したが,樹枝状から島状粒子への形態の変化と共に,閾値濃度で粒子数密度の傾向も変化した。基板上に堆積した粒子の結晶成長が支配的であり,所与の過飽和の大部分は,閾値濃度より低い溶液濃度で粒子の結晶成長のために消費された。閾値濃度より高い溶液濃度では,基材上の結晶核生成が支配的であり,与えられた過飽和の大部分が粒子の結晶核形成のために消費され,続いて粒子の結晶成長が行われた。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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有機化合物の結晶成長  ,  有機化合物の薄膜 
物質索引 (1件):
物質索引
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引用文献 (54件):
  • Anthony, J. E.; “The Larger Acenes: Versatile Organic Semiconductors,” Angew. Chem. Int. Ed., 47, 452–483 (2008)
  • Bao, Z. and J. Locklin eds.; Organic Field-Effect Transistors, pp. 27–594, CRC Press, Boca Raton, USA (2007)
  • Buckanie, N. M. and F.-J. Meyer zu Heringdorf; “Photoemission Electron Microscopy Study of Anthracene Growth on Si(111),” Surf. Sci., 601, 1701–1704 (2007)
  • Carrott, M. J. and C. M. Wai; “UV-Visible Spectroscopic Measurement of Solubilities in Supercritical CO2 Using High-Pressure Fiber-Optic Cells,” Anal. Chem., 70, 2421–2425 (1998)
  • Chernyak, Y., F. Henon, R. B. Harris, R. D. Gould, R. K. Franklin, J. R. Edwards, J. M. DeSimone and R. G. Carbonell; “Formation of Perfluoropolyether Coatings by the Rapid Expansion of Supercritical Solutions (RESS) Process. Part 1: Experimental Results,” Ind. Eng. Chem. Res., 40, 6118–6126 (2001)
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