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J-GLOBAL ID：201602211630104784   整理番号：16A0651597

メモリインタフェイス:過去,現在,未来【Powered by NICT】

Memory Interfaces: Past, Present, and Future

著者 (3件)： Kim Chulwoo (Korea University, Korea) ,  Lee Hyun-Woo ,  Song Junyoung (Programmable Solution Group, Intel)
資料名： IEEE Solid-State Circuits Magazine  (IEEE Solid-State Circuits Magazine)
巻： 8  号： 2  ページ： 23-34  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2270A  ISSN： 1943-0582  CODEN： SCMOCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数十年にわたり,動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)の帯域幅は,よく知られた「記憶壁」問題を克服する革新的なアーキテクチャと回路レベル技術により有意に増加した。二重データレート(DDR)SDRAMに単一データ速度(SDR)シンクロナスDRAM(SDRAM)からの転移におけるDRAM I/Oのための利用技術を調べることによりDRAM入力/出力(I/O)の過去の課題を理解することができた。最近開発されたバージョン低電力DDR四(LPDDR4)と同期グラフィックスDDR五(GDDR5)はさらに帯域幅増加のための新しい入出力特性を採用した。LPDDR4とGDDR5,帯域幅におけるもう一つのジャンプを作るためになにをすべき先を見るDRAMのための増加させるCopyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 入出力特性 ,  DRAM ,  *帯域幅 ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： 低電力化 ,  SDRAM ,  データレート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： メモリインタフェイス ,  未来