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J-GLOBAL ID：201602211869205760   整理番号：16A0010805

III-Vナノワイヤとナノワイヤオプトエレクトロニクス素子

III-V nanowires and nanowire optoelectronic devices

著者 (4件)： ZHANG Yunyan (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  WU Jiang (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  AAGESEN Martin (Gasp Solar ApS, Taastrup, DNK) ,  LIU Huiyun (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 46  ページ： 463001,1-29  発行年： 2015年11月25日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,ナノワイヤ(NM)の研究が盛んに行われている。NWの直径が十分に小さい場合,キャリアは量子閉じ込めを受ける。III-V半導体化合物の優れたオプトエレクトロニクス特性から,レーザアブレーション,金属有機気相成長,化学ビームエピタクシー,分子ビームエピタクシーなどのような様々な方法でのIII-V NWの作製が試みられている。さらに,III-V NWは,溶液相を通じて合成されている。しかしながら,この方法を用いて,NWの結晶構造と成長方位を制御することは困難とされている。本稿では,III-V NWの作製と応用に関して,現在までの主要な挑戦課題と進展,および,将来における展望について解説した。NWのモルフォロジーと結晶品質に大きな影響をおよぼす機構について述べ,次いで,1軸方向,および,動径方向接合からなる先進的なNWについて紹介した。続いて,III-Vナノワイヤを太陽電池と発光体に用いることの利点,課題,および,そのためのブレークスルーについて述べた。最後に,将来の発展の展望を与えた。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *固体素子 ,  量子閉込め ,  レーザアブレーション ,  CBE成長 ,  モルフォロジー ,  品質 ,  太陽電池 ,  発光ダイオード ,  MOCVD
準シソーラス用語： *III-VI半導体 ,  *オプトエレクトロニクス素子 ,  化学ビームエピタキシー ,  結晶品質 ,  金属有機化学蒸着

分類 (1件)： 光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノワイヤ ,  オプトエレクトロニクス素子