文献

J-GLOBAL ID：201602211938032570   整理番号：16A0137796

二分子層hα-シリカの基底状態: 機械的および電子的性質

Ground state of bilayer hα-silica: mechanical and electronic properties

著者 (2件)： HAN Yang (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  HU Ming (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 50  ページ： 505702,1-10  発行年： 2015年12月18日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理/DFT計算によって,二分子層の新規な基底状態のAAr-スタッキングhα-シリカを新しく見出した。この新規構造は,異なるシリカ層に存在するsp³混成SiO₃三角ピラミッド間のSi-Si結合を有した。本構造におけるSi-Si結合数の倍増は,単分子層hα-シリカに比べた場合,既報の値より3倍以上低い系エネルギーを示した。本AAr-スタッキング二分子層hα-シリカは,高い面内剛性と負のPoisson比を示した。この負のPoisson比は,臨界引張歪(~1.2%)で正のPoisson比に変化した。この負-正の変化は,エネルギーの構造の転移に起因した。このエネルギー構造転移の解析,ならびに新規基底状態の電子特性と外部歪に伴うその特性変化を計算した。

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  第一原理 ,  *二分子層 ,  *構造 ,  *二酸化ケイ素 ,  *基底状態 ,  *機械的性質 ,  *電子構造 ,  バンド構造 ,  Poisson比 ,  化学結合 ,  *分子間相互作用 ,  歪
準シソーラス用語： DFT計算 ,  *二次元構造 ,  Si-Si結合 ,  *スタッキング相互作用 ,  引張歪

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二分子層 ,  シリカ ,  基底状態 ,  電子 ,  性質