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J-GLOBAL ID：201602212002002749   整理番号：16A0028318

半導体量子井戸の解析的ポテンシャルと電荷モデル

Analytic Potential and Charge Model of Semiconductor Quantum Wells

著者 (6件)： MARIN E.G. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  TIENDA-LUNA I.M. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  RUIZ F.G. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  GONZALEZ-MEDINA J.M. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  GODOY A. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  GAMIZ F. (Universidad de Granada, Granada, ESP)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 12  ページ： 4186-4191  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1D閉じ込め量子井戸(QW)構造におけるポテンシャルと電子濃度を決定する解析的モデルを提案する。このモデルはHEMTやFDSOI FETの湯女いかなる種類の非対称プレーナデバイスにも適用可能である。サブバンドエネルギーの解析的表現,その対応する波動関数,構造内のポテンシャルプロファイルを,三角QWでのPoissonとSchroedinger方程式を解くことと,それらを結ぶ摂動理論を使って求めた。モデルはゲート絶縁膜への波動関数侵入,半導体-絶縁膜界面での有効質量不連続性,Fermi-Dirac統計を考慮している。この解析解がサブ閾値から強い反転まですべての動作領域で,様々なデバイス形状と材料でフロントおよびバックゲートバイアスに対して数値シミュレーションと良く一致することを示した。

シソーラス用語： モデリング ,  半導体プロセス ,  HEMT ,  MOSFET ,  *量子井戸 ,  ポテンシャル模型 ,  濃度 ,  分布 ,  摂動論 ,  Poisson方程式 ,  Schroedinger方程式 ,  波動関数 ,  *解析モデル
準シソーラス用語： ダブルゲート ,  ポテンシャルモデル ,  *ポテンシャル分布 ,  完全空乏型SOI ,  摂動理論 ,  電子濃度 ,  半導体素子モデリング

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体量子井戸 ,  解析 ,  ポテンシャル ,  電荷 ,  モデル