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J-GLOBAL ID:201602212092072090   整理番号:16A0070527

近赤外バンドにおける広い全方向反射器の設計【Powered by NICT】

Design of a Broad Omnidirectional Reflector in the Near-infrared Band
著者 (4件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 221-226  発行年: 2015年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
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一次元フォトニック結晶に基づく全方向性反射を調べた。全方位反射(ODR)バンドのバンド位置とバンド幅に及ぼす効果は伝達マトリックス法により解析した。広いバンドギャップ理論に基づいて,近赤外広帯域全方向反射器でヘテロ構造フォトニック結晶を設計した。TiO_2/SiO_2とTe/SiO_2で構成されるヘテロ構造を比較し,前者のODRバンド特性は後者よりも優れていることが分かった。TE偏波のODRバンドは1001-2999nmの近赤外領域に位置する;1001-2323nmの近赤外領域に位置するTM偏波,および得られた反射率のODRバンドは98%以上であるが,層の数は20である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体のルミネセンス  ,  半導体の結晶成長  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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