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J-GLOBAL ID:201602212204124064   整理番号:16A0117721

カーボンナノチューブ集積回路の過渡応答【Powered by NICT】

Transient response of carbon nanotube integrated circuits
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 1005-1016  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2652A  ISSN: 1998-0124  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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すべての発表されたカーボンナノチューブ(CNT)集積回路(IC)の周波数応答の速度は予測されたものとは大きく異なった。CNT ICの過渡応答を実験とシミュレーション方法の組合せによって系統的に調べた。相補型電界効果トランジスタ(FET)に基づくインバータは単層の半導性CNT上に作製し,動的応答測定は,予想外に低い速度,すなわち30μsの大きな伝搬遅延で動作することができることを示した。CNT FETの大きな出力抵抗のために,寄生容量の存在はSi ICよりもはるかに大きい抵抗-容量(RC)遅延を誘導するべきである。詳細な解析結合シミュレーションと実験測定により,CNT FET ICの実際の速度を引きずるダウン寄生容量のいくつかの種類を同定したものであると,それらの各々は,RC遅延を介して異なるレベルで速度を制限している。測定システムからの寄生容量が支配的な一つであり,大型RC遅延が実験結果に類似したわずか数kHzまでCNT FET論理回路の速度を低下させることが分かった。各種最適化方式を提案し,寄生容量の影響を最小にするために証明し,CNT ICの速度を向上させた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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レーダ  ,  構造動力学 
タイトルに関連する用語 (3件):
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