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J-GLOBAL ID：201602212529077862   整理番号：16A1116729

光和周波発生と第二高調波発生により研究したH-Si(111)表面からの水素脱離の速度論

Hydrogen desorption kinetics from H-Si (111) surfaces studied by optical sum frequency generation and second harmonic generation

著者 (5件)： Sattar Md. Abdus (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan) ,  Hien Khuat Thi Thu (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan) ,  Miyauchi Yoshihiro (Department of Applied physics, National Defense Academy of Japan, Hashirimizu 1-10-20, Yokosuka, Kanagawa, 239-8686, Japan) ,  Mizutani Goro (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1292, Japan. [e-mail]) ,  Rutt Harvey N. (School of Electronics and Computer Science, University of Southampton, Southampton, SO17 1BJ, UK)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 48  号： 11  ページ： 1235-1239  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 和周波発生(SFG)および第二高調波発生(SHG)スペクトルを観察することにより,711Kで平らなH-Si(111)1×1表面からの水素脱離を研究した。10^-8Paのベース圧力を有する超高真空チャンバ内で水素分子を投与することにより,平らなH-Si(111)表面を調製した。SFG法とSHG法を組み合わせることにより,1単分子層(ML)から0MLまでの全水素被覆範囲にわたり脱離次数を明らかにした。SFG分光法を使用し1ML~0.18MLの高い被覆範囲で2次として,そしてSHG分光法を使用し0.18ML~0.0MLの被覆範囲で1次として,水素脱離を割り当てた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 和周波数発生 ,  第二高調波発生 ,  *ケイ素 ,  *表面 ,  *水素 ,  表面構造 ,  脱着 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： *単分子膜 ,  和周波発生分光法

著者キーワード (5件)： sum frequency generation (SFG) ,  second harmonic generation (SHG) ,  Si (111)1 × 1 surface ,  desorption order ,  hydrogen coverage

分類 (3件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  分光分析  (CC03012W) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 和周波発生 ,  第二高調波発生 ,  研究 ,  Si ,  水素脱離 ,  速度論