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J-GLOBAL ID：201602212555090921   整理番号：16A0178886

窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション

Electromagnetic-field analysis simulation for the improvement of light extraction efficiency in III-nitride LEDs

著者 (4件)： 尾崎智 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  山口敦史 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  後藤裕輝 (古河機械金属) ,  碓井彰 (古河機械金属)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 378(LQE2015 123-133)  ページ： 1-4  発行年： 2015年12月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高出力用途の白色LED用の基板として,選択成長技術によって転位密度を低減したGaNテンプレート基板が注目されている。本報告では,このGaNテンプレート基板に内在する選択成長用SiO₂マスクを回折格子として利用し,LEDの光取出し効率の向上にも役立てる手法を提案する。そして,電磁界解析シミュレーションにより,光取り出し効率向上のためにSiO₂マスクの形状やサイズを最適化する指針を探った結果についても報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  *効率 ,  *有限差分時間領域法 ,  *窒化ガリウム ,  電磁場解析
準シソーラス用語： *FDTD解析 ,  GaN ,  *LED ,  *光取出し効率 ,  窒化物半導体 ,  電磁界解析 ,  白色LED

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  電磁気学一般  (BD01020N) ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  (BD03020B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒化物半導体 ,  LED ,  光取出し効率 ,  電磁界解析 ,  シミュレーション