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J-GLOBAL ID：201602212660427575   整理番号：16A0183239

TVA法により得たNドープSiCナノ構造の構造特性と電気的性質

Structural and electrical properties of N doped SiC nanostructures obtained by TVA method

著者 (17件)： CIUPINA Victor (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  CIUPINA Victor (Acad. Romanian Scientists, Bucharest, ROM) ,  LUNGU Cristian P. (National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest) ,  VLADOIU Rodica (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  PRODAN Gabriel C. (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  ANTOHE Stefan (Univ. Bucharest, Bucharest-Magurele, ROM) ,  POROSNICU Corneliu (National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest) ,  STANESCU Iuliana (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  JEPU Ionut (National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest) ,  IFTIMIE Sorina (Univ. Bucharest, Bucharest-Magurele, ROM) ,  BELC Marius (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  MANDES Aurelia (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  DINCA Virginia (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM) ,  VASILE Eugeniu (Univ. Politechnica of Bucharest, Bucharest, ROM) ,  ZAROVSKI Valeriu (National Inst. Lasers, Plasma and Radiation Physics, Bucharest) ,  NICOLESCU Virginia (CERONAV Constanta, Constanta, ROM) ,  CARAIANE Aureliana (Ovidius Univ. Constanta, Constanta, ROM)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9558  ページ： 955808.1-955808.10  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化けい素(SiC)は様々な技術に広く応用できるセラミック材料である。また,SiCはワイドバンドギャップ半導体である。熱イオン真空アーク(TVA)法を用いて,200°Cの基板温度で窒素イオンをドープしたSiC薄膜を作製した。ガラス基板上に厚みが400,600,1000nmのN:SiC薄膜を堆積させた。薄膜の構造を透過型電子顕微鏡(TEM),高分解能TEM,X線光電子分光法により調べた。電気伝導率を測定し,接触電流モードにおける直列標準抵抗上の電位低下と構造上の電位低下を比較した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  窒素 ,  ドーピング ,  ナノ構造 ,  イオン ,  構造特性 ,  真空アーク ,  イオンめっき ,  *薄膜成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  *電気伝導率 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  高分解能電子顕微鏡
準シソーラス用語： 熱イオン ,  真空アーク蒸着 ,  HRTEM ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  SiC ,  ナノ構造 ,  構造特性 ,  電気的性質