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J-GLOBAL ID:201602212734448189   整理番号:16A0011645

高次高調波を用いた半導体表面キャリア輸送フェムト秒ダイナミクスの観測

Time-Resolved Observation of Photo-Generated Carrier Transport Dynamics on Semiconductor Surface Based on Femtosecond Core-Level Photoelectron Spectroscopy
著者 (8件):
資料名:
巻: 43  号: 12  ページ: 844-851  発行年: 2015年12月20日 
JST資料番号: X0335A  ISSN: 0387-0200  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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高次高調波は,有望なコヒーレント短波長光源として注目されている。高次高調波の櫛状の鋭いスペクトル構造を利用した時間分解光電子分光法,特に,固体試料を対象とした角度分解光電子分光法で固体電子状態を観測できる。高次高調波の特性に着目し,表面敏感フェムト秒時間分解内殻光電子分光法を検討している。本報告では,第59次高調波を利用したフェムト秒時間分解表面光電子分光システムの開発と,半導体表面の光励起状態やその緩和ダイナミクスの分析について紹介した。フェムト秒時間分解内殻光電子分光法を説明し,半導体キャリア輸送ダイナミクスの計測結果を報告した。GaAsでの光励起キャリア輸送を計算機シミュレーションした。また,光デンバー効果の緩和過程も解析した。Gaの3d内殻光電子ピークの高束縛エネルギー側へのシフトの時間依存性を計測できた。光電子ピークシフトの時間変化は,光デンバー効果によって誘起された光起電力のダイナミクスに対応した。
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分類 (4件):
分類
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レーザの応用  ,  分光法と分光計一般  ,  光電子放出  ,  非線形光学 
引用文献 (52件):
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