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J-GLOBAL ID：201602212826192988   整理番号：16A0514326

20GHz超応答に向けた波長850nm帯SOI-PIN光検出器の設計と周波数応答の構造依存性

Design and Structure Dependence of High Frequency Response of SOI-PIN Photodiode for Over 20 GHz Responses

著者 (3件)： 丸山武男 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  三津野翔哉 (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  飯山宏一 (金沢大 大学院自然科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 52(LQE2016 1-18)  ページ： 33-36  発行年： 2016年05月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々はAOC用光検出器として,SOI-PIN光検出器を提案している。この素子は電極間隔,受光部面積,パッド面積を最適化することで,20GHz超での動作が期待できる。今回ファウンドリーサービスを用いて光検出器を作製し,波長0.8μm帯における特性を評価した。電極間隔0.6μm,受光部面積20×20μm²,パッド面積30×30μm²の素子において,最大帯域13GHzを得た。(著者抄録)

シソーラス用語： *光検出器 ,  光ケーブル ,  *半導体プロセス ,  *フォトダイオード ,  周波数応答 ,  横方向 ,  波長
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  *PINフォトダイオード ,  *SOI

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 応答 ,  波長 ,  SOI ,  光検出器 ,  設計 ,  周波数応答 ,  構造依存性