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J-GLOBAL ID：201602212944827212   整理番号：16A0100588

グラフェンナノリボントランジスタのためのロバストな高整列化DNAナノワイヤアレイによるリソグラフィ

A Robust Highly Aligned DNA Nanowire Array-Enabled Lithography for Graphene Nanoribbon Transistors

著者 (5件)： KANG Seok Hee (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  HWANG Wan Sik (Korea Aerospace Univ., Goyang, KOR) ,  LIN Zhiqun (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  KWON Se Hun (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  HONG Suck Won (Pusan National Univ., Busan, KOR)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 12  ページ： 7913-7920  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く整列したDNAナノワイヤアレイを用いたリソグラフィにより,CVDグラフェン膜からFETを構成可能なグラフェンナノリボン或はグラフェンメッシュを作製するロバストな方法を開発した。平坦なポリマ(PDMS)基板上のDNA液滴をPETフィルムで挟むとともに移動し,その流れ補助自己集合によりDNAナノワイヤアレイのナノパタンを形成した。このDNAパタンをCVDグラフェンを移動済のSi基板上に転写・印刷し,DNAパタンをレジストとして使用し,グラフェンを選択的に除去してグラフェンナノリボンを形成した。この手法はフィーチャサイズの高い制御性と低水準の欠陥で大面積(ミリメータスケール)のナノリボンを与える。柔軟な二端子素子及びFETを示した。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *グラフェン ,  *細線 ,  *DNA【核酸】 ,  レジスト ,  面積 ,  柔軟性 ,  FET【トランジスタ】 ,  *製造 ,  ポリジメチルシロキサン ,  ポリエチレンテレフタレート ,  ロバスト性 ,  アラインメント
準シソーラス用語： PDMS【重合体】 ,  PET【重合体】 ,  ナノワイヤアレイ ,  作製 ,  整列 ,  大面積

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ロバスト ,  整列 ,  DNA ,  ナノワイヤアレイ ,  リソグラフィ