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J-GLOBAL ID:201602213066918921   整理番号:15A1298498

オゾン純水の調製とシリコンウエハ洗浄におけるその応用【Powered by NICT】

Preparation of Ozone Ultrapure Water and Its Application in Silicon Wafer Cleaning
著者 (1件):
資料名:
巻: 40  号:ページ: 671-674,691  発行年: 2015年 
JST資料番号: C2378A  ISSN: 1003-353X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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強いイオン化放電によるオゾン超純水発電システムの独立した研究と開発を用いて,O_2は励起イオン化と解離した強電場イオン化放電による活性酸素種,零零~-,O~+,O(~1 D)とO_2(a~1 Δg)などした。O_2と反応して高濃度気体O_3を形成した。気体O_3は高い効果的に強いインセンティブ法による超純水中の溶解高濃度オゾン超純水を生成した。実験結果は,オゾン超純水の質量濃度は34 2mg/Lに達し,強いイオン化放電電場強度は96kV/cmであった場合に,Fe,CuとAlの微粒子除去率は90%以上に達し,放電電力は800Wであり,形成のための高濃度オゾン超純水の反応時間は30分,シリコンウェーハ洗浄の要求を満たすことを示した。高濃度オゾン超純水を形成するシリコンウェーハ洗浄のための新しい方法を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  固体デバイス一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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