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J-GLOBAL ID：201602213209634270   整理番号：16A0046687

大面積イメージングとセンシング用のπ形状チャネルを持つデュアルゲート感光性a-Si:H薄膜トランジスタ

Dual-Gate Photosensitive a-Si:H Thin-Film Transistor With a π-Shape Channel for Large-Area Imaging and Sensing

著者 (7件)： OU Hai (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  WANG Kai (Joint Inst. Engineering, Sun Yat-sen Univ. (SYSU)-Carnegie Mellon Univ. (CMU), Guangzhou, CHN) ,  WANG Kai (Shunde International Joint Res. Inst., SYSU-CMU, Foshan, CHN) ,  DING Cairong (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  DENG S. Z. (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  XU N. S. (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN) ,  CHEN Jun (Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 12  ページ： 1373-1375  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コスト,低温および大面積化が容易なため,a-Si:HがフラットパネルディスプレイやX線イメージングに広く使われている。しかし,多くのアプリケーションではa-Si:H TFTをスイッチとして使っている。本稿では,低レベル光検出用の感光性デュアルゲートa-Si:H TFTについて報告した。760nmのπ形状チャネル層を使った。これにより,光吸収性を向上させるだけでなく,TFTの輸送特性も維持している。低レベル照射に対してデバイスをサブ閾値領域で動作させることにより感光性が倍化した。さらに,リセットすることにより残留光電流を最小化し,光応答性が向上した。

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  *イメージセンサ ,  フラットパネルディスプレイ ,  光検出 ,  光吸収 ,  閾値
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  イメージングセンサ ,  サブ閾値 ,  デュアルゲート

分類 (2件)： 表示機器  (NC06030Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 大面積 ,  イメージング ,  センシング ,  チャネル ,  デュアルゲート ,  感光性 ,  Si ,  薄膜トランジスタ