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J-GLOBAL ID:201602213294606689   整理番号:16A0158743

MoS_2単分子膜上における単一障壁を通る輸送【Powered by NICT】

Transport through a Single Barrier on Monolayer MoS_2
著者 (3件):
資料名:
巻: 32  号: 10  ページ: 107301-1-107301-4  発行年: 2015年 
JST資料番号: W1191A  ISSN: 0256-307X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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著者らは単層MoS_2へ単一障壁を通して理論的に量子輸送を研究した。その結果,K(二次谷におけるスピンアップ(ダウン)電子の透過特性は時間反転対称性に起因するK’谷で下向き(上向き)電子と同じであることが分かった。一般的に,nnn(またはppp)接合を通る輸送に対する透過率は入射角,障壁高さだけでなく,電子の入射エネルギーの振動関数である。この透過はppp接合を通る輸送のスピン方位に敏感に依存する方向依存トンネリングを示した。一方n-p-n接合を通しての輸送のための,MoS_2の単分子層はθ_0~θ(0m)(共鳴角)を除いてθ_0入射のほぼ全ての角度に対して不透明になった。透過における共鳴ピークの位置と数は2障壁とスピン配向の間の距離により決定される。このような系におけるコンダクタンスは電気ポテンシャルの高さを変えることによってかなり調整することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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トランジスタ 
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