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J-GLOBAL ID：201602213839842555   整理番号：16A0016981

グラフェン様システムにおけるエッジ状態

Edge states in graphene-like systems

著者 (4件)： LADO J.L. (International Iberian Nanotechnology Lab. (INL), Av. Mestre Jose Veiga, 4715-330 Braga, PRT) ,  GARCIA-MARTINEZ N. (International Iberian Nanotechnology Lab. (INL), Av. Mestre Jose Veiga, 4715-330 Braga, PRT) ,  FERNANDEZ-ROSSIER J. (International Iberian Nanotechnology Lab. (INL), Av. Mestre Jose Veiga, 4715-330 Braga, PRT) ,  FERNANDEZ-ROSSIER J. (Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Alicante, 03690 Alicante, ESP)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 210  号： PA  ページ： 56-67  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンおよびグラフェン様システムの端部はバルクでのDirac電子のそれから大きく異なる性質を有するエバネセント波関数を有する局在状態をホストすることができる。これはここでレビューする種々の状態で生じている。最初に,ジグザグ端部はDiracエネルギーで一連の局在化させた非分散性状態をホストする。半分の充填で,これらの状態は非常に興味あるタイプの端部強磁性を生じる強磁性不安定性になりやすいと予想される。第二に,外部摂動の影響下のグラフェンが従来の量子Hall効果,量子異常Hall(QAH)や量子スピンHall相を含む種々のトポロジーの絶縁体相をホストすることができるが,全てのそれらの相伝導はトポロジー的に保護された端部を通じて起こす事ができる。ここでは,同じ一つの軌道緊密結合モデルの光の下で試験した全てのこれらの端状態の統一ビジョンを明らかにする。種々の物理現象の富を生み出す相互作用,スピン軌道結合および磁場の組合せ作用を議論する。実際に実験的に観察された物理現象についても若干述べる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラフェン ,  量子Hall効果 ,  端部 ,  電子 ,  エバネセント波 ,  *Hall効果 ,  *強磁性 ,  位相幾何学 ,  緊密結合法 ,  スピン-軌道相互作用 ,  磁気モーメント ,  バンド構造
準シソーラス用語： Dirac電子 ,  *エッジ状態 ,  スピン・軌道結合 ,  スピンHall効果 ,  トポロジー

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  磁性一般  (BM06010M)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  エッジ状態