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J-GLOBAL ID：201602213906264863   整理番号：15A1255310

NANDフラッシュメモリのためのFAST FTLのランダム書き込み性能の最適化【Powered by NICT】

Optimizing random write performance of FAST FTL for NAND flash memory

著者 (2件)： Guo Xufeng (Dep. of Computer Sci. and Technol., Tsinghua Univ., Beijing) ,  Wang Yuping (Dep. of Computer Sci. and Technol., Tsinghua Univ., Beijing)
資料名： Science China. Information Sciences  (Science China. Information Sciences)
巻： 58  号： 3  ページ： 032102-1-032102-14  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2579A  ISSN： 1674-733X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NANDフラッシュメモリは,その高い性能と低消費電力のために消費者エレクトロニクスのための貯蔵装置としてその人気を得ている。これらの大部分の素子では,FTL(フラッシュ変換層)を採用して,フラッシュ管理をかなり容易にし従来のディスクベースファイルシステムを支援するためのブロックデバイス界面をエミュレートした。種々のFTLの中で,FAST(完全連想部門変換)FTLは優れた性能を示し,最先端の手法の一つとなってきている。しかし,FAST FTLは貧弱な性能データベーストランザクション処理作業負荷のような上部応用による小型ランダム書き込みの膨大な数を取り扱う。二つの重要な理由は,完全なmergesの大きなオーバーヘッドをもたらすことをランダムログブロックの再生のための効率的な選択スキームの不在,およびより長い部分mergesの大きなコストのために,ランダム書込みに適用されていない逐次ログブロック方式である。ランダム書き込みの存在下で以上二欠陥を克服するために,二つの技術が提案されている。最初の技術は,新しいランダムログブロック選択アルゴリズム,キーブロック選択基準としてのブロック結合とランダムログブロックの正確なページ量に基づいてを採用することにより,完全併合コストを削減した。第二の方法は,ランダムログブロックを用いた逐次ログブロックを置換部分mergesのオーバヘッドを除去した。実験結果は,この最適化は三つの側面:消去数,ページマイグレーション量,および応答時間におけるFAST FTLの性能を著しく上回る事を示した。これらの場合の最大の改善レベルは66.8%,98.2%,および51.0%に達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 消費者 ,  選択基準 ,  エミュレーション ,  作業負荷 ,  電子技術 ,  応答時間 ,  *最適化 ,  間接費 ,  *閃光電球 ,  データベース ,  アルゴリズム ,  界面 ,  トランザクション処理
準シソーラス用語： *NANDフラッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (4件)： NANDフラッシュメモリ ,  FAST ,  書き込み ,  最適化