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J-GLOBAL ID：201602213928941153   整理番号：16A1257458

V(GS)とV(BE)を用いたCMOS電圧基準のための新しい曲率補償技術【Powered by NICT】

A new curvature compensation technique for CMOS voltage reference using |V_(GS)| and ?V_(BE)

著者 (5件)： Li Xuemin (School of Electronic Information and Engineering, Tianjin University) ,  Ye Mao (School of Electronic Information and Engineering, Tianjin University) ,  Zhao Gongyuan (School of Electronic Information and Engineering, Tianjin University) ,  Zhang Yun (School of Electronic Information and Engineering, Tianjin University) ,  Zhao Yiqiang (School of Electronic Information and Engineering, Tianjin University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 5  ページ： 55005_01-55005_07  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS電圧基準のための新しい混合曲率補償技術を提案したが,これは相補的な温度特性をもつ二つのサブ基準に頼っている。最初のサブ基準を飽和領域で動作するPMOSトランジスタのソース-ゲート電圧V(GS)pである。第二サブ基準はサブしきい値領域におけるNMOSトランジスタのゲート-ソース電圧V(GS)nとバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の二ベース-エミッタ電圧V(BE)間の差の加重和であった。提案した曲率補償技術を利用した実行電圧基準は,低温度係数を示し,小さいシリコン面積を占めている。提案した技術は,0.18μm標準CMOSプロセス技術で検証した。回路の性能を測定した。測定結果はトリミングなしで12.7ppm/°Cの低い温度係数を示し, 40~120°Cの温度範囲で,電流消費は室温で50μAであった。測定した電源除去比(PSRR)は 31:2dB@100kHzであった。回路は0.045mm~2の面積を占めている。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度係数 ,  ケイ素 ,  *曲率 ,  電流 ,  バイポーラトランジスタ ,  *電圧 ,  トリミング ,  *CMOS
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  CMOSプロセス ,  サブ閾値 ,  ゲート電圧 ,  温度特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電圧基準 ,  サブ基準 ,  曲率補償 ,  サブしきい値

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Be ,  CMOS ,  曲率 ,  補償