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J-GLOBAL ID：201602214095107157   整理番号：16A0154995

非晶質TiO₂バッファ層は量子ドット増感太陽電池の効率を9%以上まで押し上げる

Amorphous TiO₂ Buffer Layer Boosts Efficiency of Quantum Dot Sensitized Solar Cells to over 9%

著者 (11件)： REN Zhenwei (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  WANG Jin (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  PAN Zhenxiao (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  ZHAO Ke (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Hua (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  LI Yan (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  ZHAO Yixin (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  MORA-SERO Ivan (Univ. Jaume I, Castello, ESP) ,  BISQUERT Juan (Univ. Jaume I, Castello, ESP) ,  BISQUERT Juan (King Abdulaziz Univ., Jeddah, SAU) ,  ZHONG Xinhua (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 27  号： 24  ページ： 8398-8405  発行年： 2015年12月22日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnS/SiO₂コーティング前に,量子ドット(QD)増感フォトアノード上でのTiCl₄の簡便な加水分解により,非晶質TiO₂を使用する量子ドット増感太陽電池(QDSC)界面加工改質法を示した。メソポーラスTiO₂基板とQD光吸収体及びZnS/SiO₂ブロッキング層との間の界面における非晶質TiO₂層の存在が,素子再結合を大きく低減でき,したがって,9%を超えて電力変換効率(PCE)を押し上げることを実証した。PCE増倍は,V_scの改善によるもので,他方,J_sc及びFFは,非晶質TiO₂コーティングの付加の後,変わらないままであった。

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *酸化チタン ,  *バッファ層 ,  *太陽電池 ,  *量子ドット ,  *エネルギー変換効率 ,  再結合 ,  界面 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  表面改質 ,  アノード ,  光電極 ,  多孔性 ,  電圧
準シソーラス用語： *量子ドット増感太陽電池 ,  電力変換効率 ,  電荷再結合 ,  電極電解質界面 ,  光アノード ,  メソポーラス ,  開放電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質 ,  TiO2 ,  バッファ層 ,  量子ドット増感太陽電池