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J-GLOBAL ID：201602214233428415   整理番号：16A0252038

ドロップチューブプロセスを用いたInSb単結晶微粒子生成に対する融液温度と凝固時間の影響

The Effect of Melt Temperature and Solidification Time on the Single Crystal Formation of InSb Particles by Using Drop Tube Process

著者 (2件)： 新井健太 (芝浦工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻) ,  永山勝久 (芝浦工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 80  号： 3  ページ： 213-216 (J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 独自に開発した落下部2.5mのショートドロップチューブ装置を用いたIII-V族化合物半導体InSbおよびGaSbの単結晶微粒子生成について報告を行った。本研究では,ショートドロップチューブプロセスにおけるInSb2元融液の落下前の融液温度および凝固時間と表面形態の関係について調査し,InSb単結晶微粒子生成に対する融液温度および凝固時間の影響について検討した。InSb微粒子の表面形態は落下前の融液温度に強く依存し,単結晶微粒子の生成には融点直上からの結晶成長が有効であった。また,表面形態は落下中の凝固時間に強く依存し,単結晶微粒子の生成には凝固時間の遅い結晶成長が有効であった。粒子径212~300mmにおいて97%,粒子径300~500mmにおいて57%のInSb単結晶微粒子の生成が認められた。

シソーラス用語： *結晶成長 ,  単結晶 ,  結晶構造 ,  微粒子 ,  *アンチモン化インジウム ,  化合物半導体 ,  試験装置 ,  実験装置 ,  塔状構造物 ,  自由落下 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  凝固速度 ,  融点 ,  成長速度 ,  X線回折分析 ,  電子顕微鏡観察 ,  粒径 ,  粒度分布 ,  *落下塔 ,  表面形態 ,  走査電子顕微鏡法 ,  III-V半導体 ,  *構造
準シソーラス用語： InSb ,  III-V族化合物半導体 ,  無容器凝固 ,  融解温度

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (5件)：

• 1) A. Ohno: An Introduction to The Solidification of Metals, (Chijin Shokan, 1977) pp. 85–86.
• 2) P. W. Bridgman: Proc. Amer. Acad. Sci. 58(1923) 165.
• 3) P. W. Bridgman: Proc. Amer. Acad. Sci. 60(1925) 305.
• 4) J. Czochralski: Z. Phys. Chem. 92(1917) 219.
• 5) T. Kawamura and K. Nagayama: J. Japan Inst. Met. Mater. 79(2015) 419–421.

タイトルに関連する用語 (7件)： ドロップチューブ ,  プロセス ,  InSb ,  単結晶 ,  微粒子 ,  融液 ,  凝固時間