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J-GLOBAL ID:201602214298498070   整理番号:16A0100637

単分子層MoS2における局在電子のスピンコヒーレンスおよび脱位相

Spin Coherence and Dephasing of Localized Electrons in Monolayer MoS2
著者 (6件):
資料名:
巻: 15  号: 12  ページ: 8250-8254  発行年: 2015年12月 
JST資料番号: W1332A  ISSN: 1530-6984  CODEN: NALEFD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸化ケイ素/ケイ素基板上に酸化モリブデンおよび硫黄を前駆体とする化学蒸着により硫化モリブデンMoS2の単原子層を成長させた。反射スペクトルおよび円偏光光ルミネセンス,面内磁場下の時間分解Kerr回転の観測によりキャラクタリゼーションを行った。ナノ秒Larmorスピン摂動シグナルからg因子|g0|=1.86を決定した。この振動シグナルは外部磁場強度に対し直線的に位相ずれが増大し,g因子の不均一拡がり分布g+Δgを含む局所電子スピンの亜集団がスピンコヒーレンスに寄与すると推定した。gは単原子膜の製造条件に依存しないが,Δgは膜により異なる値を示した。
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分類 (4件):
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半導体薄膜  ,  固-気界面一般  ,  その他の無機化合物の磁性  ,  電気光学効果,磁気光学効果 
タイトルに関連する用語 (4件):
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