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J-GLOBAL ID：201602214491329332   整理番号：16A0273120

負の電子親和性(NEA)-GaAsの量子効率に与える処理温度の寄与

Contribution of Treatment Temperature on Quantum Efficiency of Negative Electron Affinity (NEA)-GaAs

著者 (5件)： INAGAKI Yuta (Tokyo Univ. of Sci.) ,  HAYASE Kazuya (Tokyo Univ. of Sci.) ,  CHIBA Ryosuke (Tokyo Univ. of Sci.) ,  IIJIMA Hokuto (Tokyo Univ. of Sci.) ,  MEGURO Takashi (Tokyo Univ. of Sci.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E99.C  号： 3  ページ： 371-375 (J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pドープGaAs(100)試料に対して,いくつかの負の電子親和性(NEA)活性化プロセスによる量子効率(QE)進展を調べた。580°Cまたは480°Cで表面前処理を行い,室温(R.T.)で連続NEA活性化プロセスを行った。NEA表面が劣化した場合,上記の前処理および活性化プロセスにより表面を再生し,約0.10のQEが繰返し得られた。特定の実験条件で480°Cに低減した前処理温度で0.13の高いQEが得られたことが分かった。これは恐らく電子放出という重要な役割を果たす残留Cs関連化合物に起因すると思われる。更に,多重前処理および活性化系列後ではGaAsの表面形態はかなり変化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子親和力 ,  *ヒ化ガリウム ,  *量子効率 ,  *温度 ,  リン ,  ドーピング ,  活性化 ,  *表面処理 ,  前処理 ,  室温 ,  劣化 ,  セシウム ,  *モルフォロジー ,  *表面構造 ,  *電子放出
準シソーラス用語： 負電子親和力 ,  熱処理温度 ,  表面劣化 ,  *表面形態 ,  表面活性化

分類 (2件)： 電子放出一般  (BM09010H) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (24件)：

• [1] J.J. Scheer and J. van Laar, “GaAs-Cs: A new type of photoemitter,” Solid State Commun., vol.3, no.8, pp.189-193, Aug. 1965.
• [2] A.A. Turnbull and G.B. Evans, “Photoemission from GaAs-Cs-O,” J. Appl. Phys., vol.1, pp.155-160, Feb. 1968.
• [3] K. Hayase, T. Nishitani, and T. Meguro, “Quantum yield degradation from extraction of photocurrent and residual gas in a p-GaN photocathode with an NEA surface,” IEEJ, vol.132, no.8, pp.1261-1264, Aug. 2012.
• [4] B.F. Williams, “InGaAs-CsO, A LOW WORK FUNCTION (LESS THAN 1.0 eV) PHOTOEMITTER,” Appl. Phys. Let., vol.14, no.9, pp.273-275, May 1969.
• [5] T. Nishitani, M. Tabuchi, Y. Takeda, Y. Suzuki, K. Motoki, and T. Meguro, “High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.48, no.6S, pp.06FF02-1-06FF02-3, June 2009.

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子親和性 ,  NEA ,  GaAs ,  量子効率 ,  処理温度