文献
J-GLOBAL ID:201602214539096204   整理番号:16A0680041

エミッタ補助インダクタを用いたIGBTのターンオフ集熱器電圧の推定法【Powered by NICT】

Estimation method for turn-off collector voltage of IGBTs using emitter-auxiliary inductor
著者 (5件):
資料名:
巻: 2016  号: IPEMC - ECCE Asia  ページ: 3670-3675  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本論文では,高出力IGBTモジュールの瞬間的なターンオフコレクタ電圧を推定するための手法を提案した。回路における寄生インダクタのために,高速ターンオフコレクタ電流は通常ターンオフ遷移中のIGBTモジュールに電圧オーバシュートに繋がる。高電圧と高出力IGBTモジュールの点では,電力エミッタとKelvinエミッタ間エミッタ補助インダクタが存在する。ターンオフ遷移中の同じ変数dic/dtもエミッタ補助インダクタLeE上に測定可能な電圧veEを引き起こすであろう。その結果,有害ターンオフピークコレクタ電圧を固定転流ループインダクタとエミッタ補助インダクタの場合に誘引されたνeEを反映したものである。最後に,二重パルス試験プラットフォームを用いて,推定法の有効性を検証することである。ターンオフコレクタ電圧の推定曲線は実験結果と一致した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
パターン認識 

前のページに戻る