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J-GLOBAL ID：201602214980726158   整理番号：16A0231770

透明導電性酸化物(TCO)利用のための(Sr,Ba)SnO₃の電子および光学特性に基づく密度汎関数理論

Density Functional Theory Based Electronic and Optical Properties of (Sr,Ba)SnO₃ for Transparent Conducting Oxide (TCO) Application

著者 (2件)： SIDAR Chhaya (Guru Ghasidas Viahwavidyalaya, C.G.) ,  BAJPAI P.K. (Guru Ghasidas Viahwavidyalaya, C.G.)
資料名： Advanced Science Letters  (Advanced Science Letters)
巻： 21  号： 9  ページ： 2819-2822  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W2378A  ISSN： 1936-6612  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,異なる交換相関汎関数を使った第一原理密度汎関数理論法を利用して,SrSnO₃(SNO)の構造,電子およびドーピング特性の研究を行った。局所密度近似(LDA)に対して最適化した格子定数は,一般化勾配近似(GGA)から得た値よりも,実験値に近かった。SNOではG点で直接遷移をもち,一方,Ba_0.5Sr_0.5SnO₃ではSとG点の間に間接遷移をもつ。バルクにおける最小バンドギャップ4.1eVと比べて,SNOでのバンドギャップは,LDAで2.24eV,GGAで3.89eVであった。BaドープしたSNOでは,LDAで1.87eV,GGAで2.94eVであった。状態密度の解析により,異なる原子状態から生じる最も関連する寄与を示した。SNOにおいて,価電子帯上端(VBM)は非結合で,伝導帯下端(CBM)は反結合であった。CBM特性はBaのドーピングで変化した。バンド構造計算は,以前報告されたものより,実験結果に良く一致した。

シソーラス用語： *密度汎関数法 ,  *スズ酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  近似法 ,  格子定数 ,  バリウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  *酸化物 ,  *バンドギャップ ,  状態密度 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 局所密度近似 ,  *透明導電性酸化物 ,  直接バンドギャップ ,  間接バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 透明導電性酸化物 ,  TCO ,  Sr ,  Ba ,  電子 ,  光学特性 ,  密度汎関数理論