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J-GLOBAL ID：201602215070609260   整理番号：16A0191308

汚染物質ガスセンサとしてのSnO₂ナノ構造体:合成,センシング性能及び機構

SnO₂ Nanostructure as Pollutant Gas Sensors: Synthesis, Sensing Performances, and Mechanism

著者 (3件)： YULIARTO Brian (ITB, Bandung, IDN) ,  GUMILAR Gilang (ITB, Bandung, IDN) ,  SEPTIANI Ni Luh Wulan (ITB, Bandung, IDN)
資料名： Advances in Materials Science and Engineering (Web)  (Advances in Materials Science and Engineering (Web))
巻： 2015  ページ： 694823 (WEB ONLY)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U7020A  ISSN： 1687-8434  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著しい量の汚染物質が,気体の形で工場及び自動車から排出されている。その環境に及ぼす悪影響は,良く知られている;したがって,効果的なガスセンサでの検出は,汚染物質抑制努力の一環として重要である。ガスセンサは,金属酸化物半導体,特にSnO₂ナノ構造体を使用する。この半導体は興味深く,その大量使用,例えばリチウム電池電極,エネルギー貯蔵体,触媒及びトランジスタとして,多くの用途に使用されるため,更なる研究の価値がある。また,ガスセンサとしての可能性を持っている。更に,特にCO,CO₂,SO₂及びNO_xのような廃棄物の汚染物質ガスセンサとして,SnO₂の使用について議論しなければならない。本研究では,汚染物質ガスセンサとしての性能に関連するため,SnO₂ナノ構造体合成技術の開発について述べる。さらに,ガスセンサとしてのSnO₂の機能化について,ガス吸着理論,SnO₂表面の特徴,バンドギャップ理論及び電子移動に関して広範囲にわたって議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *汚染物質 ,  *ガスセンサ ,  *ナノ構造 ,  半導体 ,  一酸化炭素 ,  二酸化炭素 ,  二酸化硫黄 ,  酸化窒素 ,  バンドギャップ ,  電子移動 ,  吸着
準シソーラス用語： ガス吸着

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 汚染物質 ,  ガスセンサ ,  ナノ構造体 ,  センシング