文献

J-GLOBAL ID：201602215302829679   整理番号：16A0033448

シミュレーションと計算からの磁気的および電気的性能に及ぼすCuドープZnO希薄磁性半導体の影響【Powered by NICT】

Effects of Cu doped ZnO diluted magnetic semiconductors on magnetic and electrical performance from simulation and calculation

著者 (4件)： Hou Qingyu (Coll. of Sciences, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot) ,  Xu Zhenchao (Coll. of Sciences, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot) ,  Wu Yun (Chemistry Dep., Inner Mongolia Vocational Coll. of Chemistry Engineering, Hohhot) ,  Zhao Erjun (Coll. of Sciences, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 16  ページ： 167201-1-167201-10  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 現在,Cuのモル量0.02778-0.16667の範囲にあるCu高濃度ドープZnOの磁気的および電気的性質に及ぼす効果を,第一原理により研究した稀である。Zn(1-x)Cu_xOスーパーセル(x = 0.02778, 0.03125)の二つのモデルをスピン分極密度汎関数理論に基づく平面波ウルトラソフト擬ポテンシャルを用いてバンド構造及び状態密度を計算するために設定した。計算結果がドープ系は縮退半導体であり,半金属希薄磁性半導体であることを示した。Cuのドーピング量が増加すると,自由正孔の相対濃度は増加し,正孔の有効質量は減少し,電子移動度は減少し,電気伝導率は増加した。これらの結果は,イオン化エネルギーとBohr半径の解析により再び検証し,それらは実験データと一致した。単一Cuのドーピング量が0.02778から0.0625に増加すると,ドーピング系減少,全エネルギー増加,安定性減少,形成エネルギー増加とドーピングの体積がより困難である。同じ濃度と二重Cuの異なるドーピングモードはドープしたとして,ドーピング系の磁気モーメントは最初に増加し,次にCu-Cu間隔の増加とともに減少する最Cu-O-Cuの結合はa軸またはb軸に沿ってあるが,ドーピング系の磁気モーメントは消失する最Cu-O-Cuの結合はc軸に沿ってあるが,Curie温度は室温以上の温度に達した。二重Cuのドーピング量が0.0625から0.16667に増加すると,ドーピング系の全磁気モーメントは最初に増加し,次に減少したが,最も近いCu-O-Cuの結合はc軸に沿って分布した。計算結果は実験データと一致した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  磁気モーメント ,  *磁気 ,  *酸化亜鉛 ,  Curie温度 ,  全エネルギー ,  密度汎関数法 ,  電気伝導率 ,  状態密度 ,  第一原理 ,  *銅 ,  正孔 ,  平面波 ,  イオン化ポテンシャル
準シソーラス用語： 擬ポテンシャル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (7件)： シミュレーション ,  計算 ,  磁気 ,  Cu ,  ドープ ,  ZnO ,  希薄磁性半導体