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J-GLOBAL ID：201602215397958640   整理番号：16A0726722

非晶質石英ガラス基板上に直接成長させたGaN系薄膜の光ルミネセンス特性の変化【Powered by NICT】

Variations in photoluminescence properties of GaN-based thin films directly grown on an amorphous quartz glass substrate

著者 (5件)： Fujiwara Atomu (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, 010-8502, Japan) ,  Ishizaki Shota (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, 010-8502, Japan) ,  Nakane Shun (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, 010-8502, Japan) ,  Murakami Yoshifumi (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, 010-8502, Japan) ,  Sato Yuichi (Dept. of Electrical and Electronic Engineering, Akita University, 1-1 Tegata-gakuen, 010-8502, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質石英ガラス基板上に直接成長させた窒化ガリウム系薄膜の光ルミネセンス特性を調べた。膜をデュアル高周波窒素プラズマ細胞を有する分子ビームエピタクシー装置により成長させた。不純物ドーピングの効果,および/または光ルミネセンス特性に及ぼす二重窒素プラズマ細胞の同時操作によるインジウム取り込みの少量を議論した。上記プロセスの各々は,それらの光ルミネセンス強度に大きな増強をもたらしたそれぞれピーク波長は互いに異なる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  *薄膜 ,  MBE成長 ,  *非晶質 ,  *光ルミネセンス ,  不純物 ,  *石英ガラス ,  HF【周波数】 ,  インジウム ,  *窒化ガリウム

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  音声処理  (JE05000E) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 非晶質 ,  石英 ,  ガラス基板 ,  成長 ,  GaN ,  薄膜 ,  光ルミネセンス