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J-GLOBAL ID：201602215484494561   整理番号：16A0034335

高電圧LDMOSの全線量照射効果研究【Powered by NICT】

Total Dose Radiation Effects Studies of High Voltage LDMOS

著者 (5件)： Wang Danhui (Beijing Res. Inst. of Micro-Electronics, Beijing) ,  Zhao Yuanfu (Beijing Res. Inst. of Micro-Electronics, Beijing) ,  Yue Suge (Beijing Res. Inst. of Micro-Electronics, Beijing) ,  Bian Qiang (Beijing Res. Inst. of Micro-Electronics, Beijing) ,  Mo Yantu (Beijing Res. Inst. of Micro-Electronics, Beijing)
資料名： Weidianzixue yu Jisuanji  (Weidianzixue yu Jisuanji)
巻： 32  号： 10  ページ： 82-86  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2387A  ISSN： 1000-7180  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 宇宙環境では,放射は,電力管理回路の漏れと可能性変性を誘発する可能性がある。CMOSと比較して,LDMOSは,より高い作動電圧を持っているので,電力管理回路における大型電力トランジスタとして広く用いられている。本論文では,LDMOSの総イオン化線量(TID)照射効果を0.25μmB CDプロセスで研究した。TID照射はLDMOSしきい値電圧シフトと,nチャネル直線ゲートLDMOSにおける,漏れ電流を誘起する。TID放射線によるpチャネル直線ゲートトランジスタの漏れ電流も観察し記録した。ELT硬化法はnチャネルLDMOSの放射線誘起eage漏れを制限することができる。放射線線量は100krad(Si)である場合,nチャネルELT LDMOSとpチャネル直線ゲートLDMOSのしきい値電圧シフトは,それぞれ0.02Vと-0.02Vである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  イオン化 ,  チャネル ,  放射線量 ,  宇宙環境 ,  漏れ電流 ,  *電圧 ,  *高電圧 ,  照射 ,  電力管理 ,  放射線 ,  電力トランジスタ ,  CMOS
準シソーラス用語： *照射効果 ,  *LDMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高電圧 ,  LDMOS ,  線量 ,  照射効果 ,  研究