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J-GLOBAL ID：201602215596553013   整理番号：16A0187353

Siベースの中赤外GeSn光検出器と発光素子

Si based mid-infrared GeSn photo detectors and light emitters

著者 (12件)： DU Wei (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  PHAM Thach (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  MARGETIS Joe (ASM, Arizona, USA) ,  TRAN Huong (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  GHETMIRI Seyed A. (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  MOSLEH Aboozar (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  SUN Greg (Univ. Massachusetts Boston, Massachusetts, USA) ,  SOREF Richard A. (Univ. Massachusetts Boston, Massachusetts, USA) ,  TOLLE John (ASM, Arizona, USA) ,  NASEEM Hameed A. (Univ. Arkansas, Arkansas, USA) ,  LI Baohua (Arktonics, LLC, Arkansas, USA) ,  YU Shui-Qing (Univ. Arkansas, Arkansas, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9555  ページ： 95550E.1-95550E.9  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge_1-xSn_xは,シリコンとのモノリシック集積が可能なことからSi上の能動または受動フォトニクスとして有望材料である。高性能なGeSn光伝導素子と発光ダイオード(LED)を制作した。光伝導素子では室温の10%Sn光伝導素子で2.4μmの長波長カットオフを観察した。ピーク応答性は77Kで1.63A/Wである。新設計の交差指電極光伝導素子の応答性は,キャリヤ移動時間が短くなったために2.85A/Wと高くなった。GeSnと市販のIR検出器を短IR波長で特定検出感度(D^*)を比較すると,1~2桁しか低くなかった。LEDに対しては,温度が高くなるとGe_0.94Sn_0.06のELスペクトルは発光ピークの赤方偏移を示した。電流密度800A/cm²での8%Sn LEDのピーク発光出力は室温で69mWである。

シソーラス用語： スズ化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  赤外線 ,  光伝導素子 ,  *発光ダイオード ,  *光検出器 ,  集積 ,  電極 ,  エレクトロルミネセンス ,  スペクトル ,  赤方偏移 ,  固体素子
準シソーラス用語： LED ,  モノリシック集積 ,  交差指電極 ,  *中赤外線 ,  発光素子

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  光検出器 ,  発光素子