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J-GLOBAL ID：201602215603780659   整理番号：16A0189129

単一グラフェン層を通してSi(001)基板上に成長させたNi81Fe19薄膜の構造と磁気特性

Structural and Magnetic Properties of Ni₈₁Fe₁₉ Thin Film Grown on Si(001) Substrate via Single Graphene Layer

著者 (4件)： LI Gui-fang (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, CHN) ,  LIU Shibin (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, CHN) ,  YANG Shanglin (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, CHN) ,  DU Yongqian (Northwestern Polytechnical Univ., Shaanxi, CHN)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2015  ページ： 575401 (WEB ONLY)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni81Fe19をマグネトロン スパッタを通してそして,グラフェンを化学蒸着した単一グラフェン層を通して単結晶Si(001)基板上に磁気薄膜Ni81Fe19を準備した。構造研究は,Ni81Fe19薄膜の結晶品質が直接 Si(001)基板上に成長させたものと比較して,グラフェン層の挿入で大幅に向上することを示した。さらにまた,Ni81Fe19/グラフェン/Si(001)ヘテロ構造の飽和磁化は,温度°Cでアニールすることで,477-emu/cm³に増えた。これは,200°Cから400°C範囲でのNi81Fe19/Si(001)ヘテロ構造の値より非常に高い。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： グラフェン ,  ケイ素 ,  基板 ,  *ニッケル化合物 ,  *鉄化合物 ,  薄膜 ,  構造 ,  *磁気的性質 ,  スパッタ蒸着

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  Si ,  成長 ,  薄膜 ,  磁気特性