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J-GLOBAL ID：201602215686789776   整理番号：16A0020372

低電力と高周波数素子のための二次元材料

Two-Dimensional Materials for Low Power and High Frequency Devices

著者 (8件)： BERSCH Brian M. (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  LIN Yu-Chuan (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  ZHANG Kehao (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  EICHFELD Sarah M. (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  LEACH Jacob H. (Kyma Technol. Inc., NC, USA) ,  METZGER Robert (Kyma Technol. Inc., NC, USA) ,  EVANS Keith (Kyma Technol. Inc., NC, USA) ,  ROBINSON Joshua A. (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9467  ページ： 94670T.1-94670T.9  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,グラフェンを超える現在の二次元材料における技術現状の概観を提出し,今日までに報告された低電力と高周波数素子の性能を要約した。これらの層状材料は寄生抵抗または電気容量の有意な最適化なしに10ギガヘルツ(GHz)操作を可能にする低電力,高周波数エレクトロニクス分野の基礎となるものである。さらに,MoS₂,WSe₂のような遷移金属ジカルコゲナイドの合成と成長後の材料のヘテロ構造と電子素子への集積を論じた。最後に,これらの集積に対する表面処理の影響を論じた。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *HF【周波数】 ,  二次元 ,  *半導体材料 ,  化合物半導体 ,  硫化モリブデン ,  カルコゲン化物 ,  FET【トランジスタ】 ,  van der Waals力 ,  誘電体 ,  半導体薄膜 ,  集積回路 ,  表面処理
準シソーラス用語： セレン化タングステン

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電力 ,  高周波数 ,  二次元材料