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J-GLOBAL ID：201602215724299337   整理番号：16A0088000

広い組成範囲での三元系ZnCdSナノロッドの超イオン伝導体媒介成長【Powered by NICT】

Superionic conductor-mediated growth of ternary ZnCdS nanorods over a wide composition range
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著者 (9件)：
Zhang Yongliang

Zhang Yongliang について

(School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing Univ. Key Lab. of Mesoscopic Chemistry of MOE, Nanjing)

School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing Univ. Key Lab. of Mesoscopic Chemistry of MOE, Nanjing について

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Cai Jing

Cai Jing について

(School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing Univ. Key Lab. of Mesoscopic Chemistry of MOE, Nanjing)

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Ji Tianpei

Ji Tianpei について

(School of Chemistry and Chemical Engineering, Nanjing Univ. Key Lab. of Mesoscopic Chemistry of MOE, Nanjing)

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Wu Qiang

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Xu Yuyang

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Wang Xizhang

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Sun Tao

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Yang Lijun

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Hu Zheng

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資料名：
Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)

Nami Yanjiu について


巻： 8  号： 2  ページ： 584-591  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体の組成制御は,それらのバンドギャップを操作し,従ってそれらの特性を調整できる。ここでは,単一源前駆体として[(C_4H_9)_2NCS_2]2m(M = Zn, Cd)をもつ超イオン伝導体(Ag_2S)媒介成長による三元Zn_xCd_(1-x)S半導体ナノロッドの合成について初めて報告する。Zn_xCd_(1-x)Sナノロッドの組成は対応する前駆体のモル比を調整することで,調整可能なバンドギャップ,光吸収及び光ルミネセンススペクトルの漸進的な発達に導くことによって広範囲に調整した。ナノロッドはよく分散したサイズと長さ,均一Ag_2Sナノ粒子と前駆体の固定量によって支配されているを示した。その結果は,カルコゲン化物ナノワイヤ/ナノロッドの組成制御とバンドギャップ工学における超イオン伝導体媒介成長の大きな可能性を示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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カルコゲン化物

カルコゲン化物 について

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前駆体

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光吸収

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半導体

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ナノワイヤ

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*亜鉛

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銀

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*ナノロッド

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ナノ粒子

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バンドギャップ

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モル比

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準シソーラス用語：
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光ルミネセンススペクトル

光ルミネセンススペクトル について

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分類 (2件)：
分類
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塩基,金属酸化物 
(CD01030Z)

塩基,金属酸化物 について

,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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組成

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ナノロッド

ナノロッド について

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イオン伝導体

イオン伝導体 について

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成長

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