抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体デバイスの小型化に伴い,従来のブレードダイシングではシリコン(Si)ウェーハ(以下,ウェーハと略記)使用効率の低下や,加工時間の増加,歩留りの低下といった問題が顕在化してきている。これらの問題を解決するため,東芝は,貴金属触媒(以下,触媒と略記)を用いたSiの異方性ウェットエッチング技術を応用し,ウェーハ全面を化学的に一括加工する高精度かつ生産性の高いケミカルダイシング技術を開発した。触媒エッチングによる微細な垂直加工を実現するため,エッチング反応中の物質移動メカニズムとサイドエッチングの発生メカニズムを明確化し,エッチング液の組成を適正化することで,10μm以下のダイシング幅で加工できることを確認した。(著者抄録)