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J-GLOBAL ID：201602216258651871   整理番号：16A0024132

ZnMgO薄膜の光学特性に及ぼす低エネルギーHイオンイオン注入の影響

Effects of Low Energy H-ion implantation on the Optical Properties of ZnMgO Thin Films

著者 (4件)： SAHA Shantanu (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  NAGAR Saurabh (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  GUPTA S. K. (Bhabha Atomic Res. Center, Mumbai, IND) ,  CHAKRABARTI Subhananda (Indian Inst. Technol. Bombay, Mumbai, IND)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9364  ページ： 93641Y.1-93641Y.6  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H^-イオン注入ZnMgOの光学及び構造特性を温度依存フォトルミネセンス(PL)及び高分解能X線回折(HRXRD)によって調査した。RFスパッタリングによってシリコン上に調製したZnMgO薄膜に低エネルギー加速装置においてHイオンを注入した。エネルギーを40keVから50keVに変化させながら,1×10¹³から1×10¹⁴イオン/cm²にわたる照射量の水素イオンをZnMgO膜に注入した。HRXRD及びPL測定を用いて水素ドーピングの影響を探索することによって,膜の構造及び光学特性を調査した。その結果,50keVに比べて40keVの方がより良い結晶品質が得られることが示唆される。実験から,H^-イオン注入はアクセプタ濃度を減少することが明らかになる。このことは,本質的にドナー濃度を増加することであり,Van der Walls法の結果によって検証される。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  イオン注入 ,  水素 ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  温度依存性 ,  RFスパッタリング ,  構造特性
準シソーラス用語： 光学特性 ,  酸化物薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  光学特性 ,  低エネルギー ,  Hイオン ,  イオン注入