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J-GLOBAL ID：201602216521676191   整理番号：16A0109798

超微細Ar/O_2大気圧プラズマジェットによるパリレンC膜の選択的除去【Powered by NICT】

Selective removal of parylene-C film by ultrafine Ar/O_2 atmospheric pressure plasma jet

著者 (5件)： Guo Honglei (Dep. of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiaotong Univ. National Key Lab. of Sci. and Technol. on Micro/Nano ...) ,  Liu Jingquan (Dep. of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiaotong Univ. National Key Lab. of Sci. and Technol. on Micro/Nano ...) ,  Chen Xiang (Dep. of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiaotong Univ. National Key Lab. of Sci. and Technol. on Micro/Nano ...) ,  Yang Bin (Dep. of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiaotong Univ. National Key Lab. of Sci. and Technol. on Micro/Nano ...) ,  Yang Chunsheng (Dep. of Micro/Nano Electronics, Shanghai Jiaotong Univ. National Key Lab. of Sci. and Technol. on Micro/Nano ...)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 27  号： 2  ページ： 024114-1-024114-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 特殊マイクロニードルを用いて超微細Ar/O_2大気圧プラズマジェット源装置を調製することである。電極に適用した4.0kVの高電圧と,このデバイスは安定でほぼ均一なプラズマジェットを生成することができる,その線幅は十μmのオーダであった。さらに,パリレンC膜を選択的に除去するための超微細Ar/O_2プラズマジェットの能力も調べた。実験結果は,この超微細Ar/O_2プラズマジェットはパリレンC膜を効果的に除去でき,除去速度は2.4μm/分に達することを示した。Ar/O_2大気圧プラズマジェットは,将来の材料処理のための超微細プロセスに使用される可能性を持っている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *プラズマジェット ,  電極 ,  高電圧

分類 (3件)： レーザ一般  (BD04030T) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  プラズマ中の電磁波  (BJ02032F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超微細 ,  Ar ,  大気圧プラズマジェット ,  パリレンC