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J-GLOBAL ID：201602216569069499   整理番号：16A1336043

ロールツーロール方式グラビア印刷とインクジェット印刷の組み合わせによる,完全に印刷された,カプセル化されたSWCNTベースの薄膜トランジスタ

Fully Printed and Encapsulated SWCNT-Based Thin Film Transistors via a Combination of R2R Gravure and Inkjet Printing

著者 (9件)： HOMENICK Christa M. (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  JAMES Robert (Communications Res. Centre Canada, Ontario, CAN) ,  LOPINSKI Gregory P. (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  DUNFORD Jeffrey (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  SUN Junfeng (Sunchon National Univ. Suncheon, Jeonnam, KOR) ,  PARK Hyejin (Sunchon National Univ. Suncheon, Jeonnam, KOR) ,  JUNG Younsu (Sunchon National Univ. Suncheon, Jeonnam, KOR) ,  CHO Gyoujin (Sunchon National Univ. Suncheon, Jeonnam, KOR) ,  MALENFANT Patrick R. L. (National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 8  号： 41  ページ： 27900-27910  発行年： 2016年10月19日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プリントエレクトロニクスは,低価格,高生産性等で注目されている。本論文は,ロールツーロール方式(R2R)グラビア印刷とインクジェット印刷を組み合わせた実用的手法によって,ポリ(9,9-ジ-n-ドデシルフルオレン)(PFDD)で被覆した半導電性単層カーボンナノチューブ(SWCNT)チャネルに基づく薄膜トランジスタ(TFT)を作成した。SWCNT網の密度は,インク配合(濃度及びポリマー:CNT比)及び噴射条件(液滴サイズ,滴間隔,及び印刷層数)を介して制御した。作成したTFTは優れた特性を持ち,移動度は,25cm²V^-1s^-1,オン/オフ電流比は,>10⁵であった。20個のTFTのアレイは,閾値電圧等のバラツキが10%以下であった。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *生産方式 ,  *グラビア印刷 ,  *インクジェット印刷 ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  *ロール・ツー・ロール方式 ,  閾値電圧
準シソーラス用語： *有機薄膜トランジスタ ,  *SWCNT ,  電荷移動度

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  印刷技術一般  (ZA05010T) ,  その他の紡糸・製糸  (YM03050G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ロールツーロール方式 ,  グラビア印刷 ,  インクジェット印刷 ,  組み合わせ ,  カプセル ,  SWCNT ,  薄膜トランジスタ