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J-GLOBAL ID:201602216785622677   整理番号:16A0196348

チオフェン/フェニレン共オリゴマ薄膜におけるpnドーピング効果

Effects of pn Doping in Thiophene/Phenylene Co-oligomers Thin Films
著者 (11件):
資料名:
巻: 620  ページ: 153-158  発行年: 2015年 
JST資料番号: B0877A  ISSN: 1542-1406  CODEN: MCLCE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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チオフェン/フェニレン共オリゴマ(TPCO)薄膜におけるドーピング効果を有機発光ダイオード(OLED)の真空紫外光電子分光法(EUPS)とエレクトロルミネセンス(EL)実験により調べた。p型TPCO(BP1T)における2wt%のMoO3のp型ドーピングはFermi準位を4.0eVから4.3eVへシフトさせた。一方,n型TPCO(AC5-CF3)における2wt%のCs2CO3のn型ドーピングはFermi準位を4.8eVから3.9eVへシフトさせた。AC5-CF3へのCs2CO3のドーピングはBP1TにおけるMoO3のドーピングよりFermi準位の大シフトに由来して効果的であった。著者らはそれらp及びnドーピング層を有するOLEDにおける電流密度及びEL強度が未ドーピング層のOLEDの場合のそれぞれ20倍及び5倍高くなった。電流密度と比べて比較的小さいEL強度増強はBR1T層とAC5-CF3層間の不十分なキャリアブロッキングに由来すると考察した。
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分類 (3件):
分類
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発光素子  ,  有機化合物の薄膜  ,  チオフェン 

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