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J-GLOBAL ID：201602216891339364   整理番号：16A0107259

TiO₂/Siヘテロ接合の低温合成

Low-Temperature Synthesis of a TiO₂/Si Heterojunction

著者 (11件)： SAHASRABUDHE Girija (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  RUPICH Sara M. (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  JHAVERI Janam (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  BERG Alexander H. (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  NAGAMATSU Ken A. (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  MAN Gabriel (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  CHABAL Yves J. (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  KAHN Antoine (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  WAGNER Sigurd (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  STURM James C. (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  SCHWARTZ Jeffrey (Princeton Univ., New Jersey, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 137  号： 47  ページ： 14842-14845  発行年： 2015年12月02日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化チタン(TiO₂)と水素末端シリコン(H:Si)の間に形成される界面が,高効率の太陽電池ヘテロ接合として低温合成できることを示した。まずチタンテトラ(tert-ブトキシド)(1)の蒸着に続く100°Cの加熱をとおして,H:Si表面上にTiO₂,薄膜を成長させた。このTiO₂,薄膜はTiO₂/Siヘテロ接合太陽電池における正孔のブロッキング層の役割を果たす。250°Cに加熱し,(1)の希薄溶液処理を行うことによって,SiO₂/Si界面の最高値に匹敵する正孔表面再結合速度をもつヘテロ接合界面が得られた。このヘテロ接合の際立った性能はTiO₂/Si界面に存在するSi-O-Ti結合に由来することを角度分解X線光電子分光により明らかにした。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *ヘテロ接合 ,  *アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  *正孔 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： *ブロッキング層 ,  *二酸化チタン ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *水素化アモルファスシリコン ,  表面再結合

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： TiO2 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  低温合成