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J-GLOBAL ID：201602216992079452   整理番号：16A0216577

単層カーボンナノチューブ膜の特性と電子構造に及ぼすランタニド金属錯体形成の影響

Effect of Lanthanide Metal Complexation on the Properties and Electronic Structure of Single-Walled Carbon Nanotube Films

著者 (6件)： MOSER Matthew L. (Univ. California, California, USA) ,  PEKKER Aron (Univ. California, California, USA) ,  TIAN Xiaojuan (Univ. California, California, USA) ,  BEKYAROVA Elena (Univ. California, California, USA) ,  ITKIS Mikhail E (Univ. California, California, USA) ,  HADDON Robert C (Univ. California, California, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 51  ページ： 28013-28018  発行年： 2015年12月30日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランタニドの有機金属複合体の研究は,もともと+3酸化状態に限定されてきたが,+2酸化状態がこれに続き,著者らはカーボンナノマテリアルのグラフェン表面における遷移金属の化学的性質を議論するために後者の結合を使用してきた。本研究では,近赤外分光法,およびRaman分光法により半導体(SC)単相カーボンナノチューブ(SWNT)の膜の電子構造と導電性に及ぼすランタニド金属の高真空中での電子ビーム堆積の影響を解析する。ここでは,ランタニドとして,従来から使用していたSm,Eu,Gdに加えてDy,Ho.Ybを含む。解析結果から,ランタニドは遷移金属に比べより電気的に陽性であるが,多くの場合共有結合ビスヘキサハプト結合[η⁶-SWNT)M(M=Sm,Eu,Yb)(η⁶-SWNT)]の形成によるものであるとみなされる同様な導電性挙動を示すことがわかる。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *電子構造 ,  *ランタノイド ,  *金属錯体 ,  有機金属化合物 ,  状態 ,  グラフェン ,  近赤外分光分析 ,  Raman分光法 ,  *半導体薄膜 ,  導電性 ,  電子ビーム蒸着 ,  サマリウム ,  ユウロピウム ,  ガドリニウム ,  ジスプロシウム ,  ホルミウム ,  イッテルビウム ,  遷移金属 ,  共有結合 ,  *電気特性
準シソーラス用語： ビスヘキサハプト結合 ,  酸化状態 ,  有機金属複合体

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の紡糸・製糸  (YM03050G) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単層カーボンナノチューブ ,  電子構造 ,  ランタニド ,  金属錯体