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J-GLOBAL ID：201602216992162078   整理番号：16A0950757

高移動度高分子半導体材料における最新の進歩を【JST・京大機械翻訳】

Recent Advances in High-Mobility Polymeric Semiconductor Materials

著者 (1件)： Chen Huajie (Key Laboratory of Environmentally Friendly Chemistry and Applications of Ministry of Education, Key Laboratory of Advanced Functional Polymeric Materials of College of Hunan Province, College of Chemistry, Xiangtan University)
資料名： Youji Huaxue  (Youji Huaxue)
巻： 36  号： 3  ページ： 460-479  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2414A  ISSN： 0253-2786  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 20世紀80年代以来,高分子半導体材料とその薄膜電界効果トランジスタデバイス(OFETS)が一連の突破的進展を遂げた。現在,数百種類のポリマー半導体材料がOFETSにおいて成功裏に適用された既存の,最も高い正孔移動度値をすでに36.3 CM2に達した。V(-1)?こと(-1)Sは小分子有機半導体材料と,さらにこと同非晶質シリコン相匹敵する。して近年国内外の総説の高い移動度高分子半導体の最新の進展を分類の比較,まとめと正孔通過便秘(P-型)、電子通過便秘(N-型)と通過便秘バイポーラ高分子半導体材料をレビューし,そしてOFETS薄膜デバイス製造の高分子半導体材料の分子設計の考え方及びその性能パラメータについて重点的に述べた。同時に,高分子半導体材料の分子構造,凝集構造とOFETSデバイス性能との間の内在関係をまとめ,合成した総合的性能の優れた設計と今後の半導体重合体材料のための一定の理論的指導を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 便秘 ,  *半導体材料 ,  凝集 ,  アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  *半導体 ,  *移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  分子設計 ,  小分子 ,  *高分子半導体 ,  正孔
準シソーラス用語： 薄膜素子 ,  正孔移動度 ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： organic field-effect transistors ,  polymer semiconductors ,  high mobility ,  air stability

分類 (9件)： 人間に対する影響  (EK02070V) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  紙の仕上加工  (YL03040S) ,  触媒反応一般  (CB06080F) ,  科学技術政策・制度・組織  (JA01020M) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  設備管理  (KB02020X) ,  保線,鉄道防災  (RC07050X) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高移動度 ,  高分子半導体