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J-GLOBAL ID：201602217502278959   整理番号：16A0585419

1310nm Al BH DFBレーザを用いた28GボーPAM4と56Gb/s NRZ性能比較【Powered by NICT】

28-Gbaud PAM4 and 56-Gb/s NRZ Performance Comparison Using 1310-nm Al-BH DFB Laser

著者 (8件)： Matsui Yasuhiro (Active Devices, Finisar Corporation, Fremont, CA, USA) ,  Pham Thang (Transceiver Engineering, Finisar Corp., Sunnyvale, CA, USA) ,  Sudo Tsurugi (Active Devices, Finisar Corporation, Fremont, CA, USA) ,  Carey Glen (Active Devices, Finisar Corporation, Fremont, CA, USA) ,  Young Bruce (Active Devices, Finisar Corporation, Fremont, CA, USA) ,  Xu Jack (OSA, Finisar Corp., Fremont, CA, USA) ,  Cole Chris (Transceiver Engineering, Finisar Corp., Sunnyvale, CA, USA) ,  Roxlo Charles (Active Devices, Finisar Corporation, Fremont, CA, USA)
資料名： Journal of Lightwave Technology  (Journal of Lightwave Technology)
巻： 34  号： 11  ページ： 2677-2683  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0922A  ISSN： 0733-8724  CODEN： JLTEDG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GHz帯域幅(BW)を持つ高速1310nm Al MQW埋込みヘテロレーザを開発した。レーザを用いて,零(NRZ)伝送性能にノンリターン,28Gbaud四レベルパルス振幅変調(PAM4)と56Gb/sを比較することであった。両方の場合では,10kmリンクバジェットを満足することが可能である,しかし,56Gb/s NRZ動作を2dB良好な感度を達成し,直接変調レーザの広いBWとNRZフォーマットのための大きな眼振幅に起因する。他方,28Gbaud PAM4の利点は,送信機と受信機のPINダイオードの両方とも減少BW,高い応答性を持つレーザとPINに低いバイアスを使用することを可能にし,または逆に低電力消費で高い温度動作の可能性を与えた。両フォーマットは-60ps/nmの負のファイバ分散を用いたバックツーバック感度と比較して負の分散ペナルティ,レーザのチャープ特性から期待されるを示した。加速条件下で85°Cで600時間11まで信頼性研究は60mAの一定のバイアスで出力パワーの減少を示さなかった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： PINダイオード ,  高速度 ,  ペナルティ ,  *レーザ ,  応答特性 ,  PAM【信号】 ,  チャープ ,  送信機 ,  バイアス ,  回線設計 ,  帯域幅
準シソーラス用語： 低電力化 ,  直接変調 ,  *性能比較 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Bh ,  DFBレーザ ,  ボー ,  NRZ ,  性能比較