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J-GLOBAL ID：201602217743441407   整理番号：16A0154855

酸素還元反応用のグラフェン基底面での電極触媒活性Co-N複合体の原子機構

Atomic Mechanism of Electrocatalytically Active Co-N Complexes in Graphene Basal Plane for Oxygen Reduction Reaction

著者 (8件)： LI Feng (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  SHU Haibo (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  SHU Haibo (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  HU Chenli (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  SHI Zhaoyi (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  LIU Xintong (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  LIANG Pei (China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN) ,  CHEN Xiaoshuang (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 49  ページ： 27405-27413  発行年： 2015年12月16日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N-G,Co-G,Co-N₂-G面の幾何学的構造と,ORRの経路,速度論,機構について,系統的な理論研究を行った。弱い表面活性をもつNドープグラフェンは,O₂およびHOO^*のO-O結合を破壊するに困難であることを実証した。したがって,一連の二電子還元経路と過酸化物の形成を促進する。一方,酸素種に対するCo-G上の表面部位の強い結合能力は,O₂を容易に活性化するが,大きなORR過電圧(1.93eV)をもたらす。グラフェン基底面へのCo-N₄複合体の導入は,その表面活性を強く媒介する。これは,酸素分解の活性化と触媒表面からのH₂Oの脱着に貢献する。したがって,Co-N₄-G表面のORRは小さい過電圧(~1.00eV)をもち,これは,Co-G表面よりも0.93eV小さい。

シソーラス用語： 還元 ,  グラフェン ,  底面 ,  *触媒活性 ,  *コバルト化合物 ,  *窒化物 ,  過電圧
準シソーラス用語： *酸素還元反応 ,  基底面 ,  *電極触媒活性 ,  二電子還元

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸素還元反応 ,  グラフェン ,  基底面 ,  電極触媒活性 ,  CO ,  複合体 ,  原子